探測(cè)器及模塊

簡(jiǎn)要描述：探測(cè)器及模塊
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具備很好的穩(wěn)定性。

產(chǎn)品型號(hào)：PVI-2TE-6-1×1-TO8
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2024-10-09
訪問(wèn) 量：782

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品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
產(chǎn)地類(lèi)別	國(guó)產(chǎn)	應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工

探測(cè)器及模塊

3.0–6.7µm，HgCdTe二級(jí)熱電冷卻，光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器

PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具備很好的穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在6µm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能，用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)能力，反向偏置可顯著增加響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍。3°楔形硒化鋅（wZnSeAR）防反射涂層窗口防止不必要的干擾效應(yīng)。

規(guī)格參數(shù)

參數(shù)（Ta = 20°C, Vb = 0 mV）	探測(cè)器類(lèi)型
參數(shù)（Ta = 20°C, Vb = 0 mV）	PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
光敏元件材料	HgCdTe
截止波長(zhǎng) λcut-on (10%), µm	3.0±1.0
峰值波長(zhǎng) λpeak, µm	5.2±0.5
優(yōu)化波長(zhǎng) λopt, µm	6
最高截止波長(zhǎng) λcut-off (10%), µm	6.7±0.3
探測(cè)率 D*(λpeak), cm·Hz1/2/W	≥7.0×1010
探測(cè)率 D*(λopt), cm·Hz1/2/W	≥4.0×1010
電流響應(yīng)度 Ri(λpeak), A/W	≥2.7
電流響應(yīng)度 Ri(λopt), A/W	≥1.5
時(shí)間常數(shù) τ, ns	≤50
阻抗 R, Ω	≥200
芯片工作溫度 Tdet, K	~230
光敏面積 Ao, mm×mm	1×1
封裝	TO8
接收角度 Φ	~36°
窗片	wZnSeAR

光譜響應(yīng)