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III-V族外延晶片

簡要描述:III-V族外延晶圓是MCT/InAs/InAsSb探測器的設(shè)計者和制造商,提供低溫制冷的紅外探測器、III-V族外延片,覆蓋1-16μm光譜范圍,同時提供探測器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-10-09
  • 訪  問  量:913

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詳細(xì)介紹

品牌其他品牌供貨周期兩周
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工

III-V族外延晶片 波蘭VIGO公司成立于1993年,擁有一支超過30年紅外探測器研究經(jīng)驗的資深專家隊伍,是MCT/InAs/InAsSb探測器的設(shè)計者和制造商,提供低溫制冷的紅外探測器、III-V族外延片,覆蓋1-16μm光譜范圍,同時提供探測器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。

產(chǎn)品介紹

VIGO的ENT外延部門生產(chǎn)III-V(GaAs-,InP-)相關(guān)的半導(dǎo)體化合物,在外延方面有35年的經(jīng)驗,并且能夠根據(jù)客戶需求提供定制服務(wù)。VIGO利用MOCVD外延技術(shù)制備了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半導(dǎo)體的原子工程外延層,具有德國柏林廠商Laytec的監(jiān)控生產(chǎn)系統(tǒng),擁有水平層流反應(yīng)器,進(jìn)行基片載流子的多次旋轉(zhuǎn)產(chǎn)品。這條新產(chǎn)品線擴(kuò)展了VIGO公司的產(chǎn)品組合,為各種微電子和光子應(yīng)用提供外延服務(wù),下游的應(yīng)用包含三極管,二極管,激光器,探測器等。具有以下特點:

  • 外延納米技術(shù),超越單一技術(shù)解決方案

  • 大規(guī)模生產(chǎn)或小批量制造,提供多類優(yōu)質(zhì)外延片

  • 生產(chǎn)的高級III-V族化合物半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu),被廣泛運用于光子設(shè)備(F-P、VCSEL、QCL激光器、光電探測器)、微電子設(shè)備(二極管、晶體管)

  • 聚焦無線、電信、傳感或打印領(lǐng)域的高度創(chuàng)新型產(chǎn)品,可提供全面的研發(fā)服務(wù)。

III-V族外延晶片主要特點

  • 超高純度

  • 精確控制厚度在±1nm

  • 優(yōu)秀的均勻性

  • 重現(xiàn)性

  • 可外延尺寸 2, 3, 4,8英寸

產(chǎn)品性能

XRD曲線:

產(chǎn)品純度一致性:

表面粗糙度:

量子井:

產(chǎn)品應(yīng)用

半導(dǎo)體類型:

  • 場效應(yīng)晶體管,被動器件,高遷移率晶體管

  • EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots

  • LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness

  • InGaAs, AlGaAs探測器,SWIR, LWIR

外延晶圓類型:

  • GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P

  • InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y

 

GAAS BASED PRODUCTS INP BASED PRODUCTS
AlGaAs/GaAs QW edge emitting lasers

 

VCSELs

FETs, HEMTs, Schottky diodes

varactors

InGaAsP/InP strained or matched QW edge emitting
lasers and SOAs 1300 – 1600nm
GaAsP/GaAs strained QW edge emitting lasers InGaAs/InP QW edge emitting lasers
InGaAsP/GaAs QW lasers 808nm InGaAsP/InP VCSEL structures
InGaAs/AlGaAs/GaAs strained QW lasers InAlGaAs/InP edge emitting and VCSEL structures
InAs/GaAs QD lasers InGaAsP/InP passive devices
AlGaAs/GaAs passive waveguides InGaAs photodetectors
Manufactured to specification InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
Manufactured to specification

 

 

 

 

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