VCSEL晶圓

簡要描述：VCSEL晶圓，850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性，適用于電信和光通信應(yīng)用。

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2024-10-09
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如何通過調(diào)整工藝提高VCSEL外延晶圓的性能？

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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	供貨周期	兩周
應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工

VCSEL晶圓 VIGO提供常見波長的VCSEL外延，例如850nm，940nm，1550nm；也可提供結(jié)構(gòu)定制。可提供外延整片或者DIE；無論是處于產(chǎn)品設(shè)計(jì)的概念階段，需要對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行創(chuàng)新升級(jí)，還是尋求開箱即用的解決方案。我們都可以為客戶提供研發(fā)項(xiàng)目的技術(shù)支持，并提出新的方法和途徑來生產(chǎn)符合客戶要求的外延結(jié)構(gòu)。

850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性，適用于電信和光通信應(yīng)用。

主要特點(diǎn)

厚度公差與規(guī)格<0.01%

載體濃度公差 <+/-10%

標(biāo)準(zhǔn)波長公差<+/-5nm

反射率下降位置 <+/-3nm（不包括5mm邊環(huán)）

芯片的顯微鏡圖像：

芯片尺寸：

VCSEL晶圓產(chǎn)品性能

VCSEL，切割前的裸片，T=20 | 當(dāng)前孔徑Φ=~4μm

電光特性：

PARAMETER	SYMBOL	TEST COND.	SAMPLE NO.21_1L
Emission wavelength	λR[nm]	POP=2.0mW	854
Threshold current	ITh [mA]	——	0.7
Threshold voltage	VTH [V]	——	1.95
Laser current	lop [mA]	POP=2.0mW	2.63
Laser voltage	Uop [V]	POP=2.0mW	2.37
Slope efficiency	ns [W/A]	——	1.02
Output power	Popt [mW]	POP=6.0mW	4.93
Differential series resistance	Rs [2]	POP=2.0mW	180
Thermal resistance(VCSEL chip)	Rthremal[K/mW]	——	6.2-7.8
Side mode suppression ratio	SMSR	POP=2.0mW	25
Wavelength tuning over temperature	[nm/K]	——	0.052
Wavelength tuning over current	dλ/dl [nm/mA]	——	0.72-0.85